基于共振硼氮键的超窄带隙均聚物

        共轭高分子的带隙调控是调节其光电性质的重要手段。窄带隙共轭高分子往往展现出强的近红外光吸收、离域的π电子等性质，在有机太阳能电池、近红外光电探测、光热治疗等领域都已经实现了良好的性能。当共轭高分子的带隙（E_g）趋近于0时，很可能展现出类似金属的本征导电性质。因此，开发设计窄带隙共轭高分子有重要的科学和实用意义。

        目前，开发窄带隙的共轭高分子策略主要分两种：一种是在共轭骨架中引入醌式结构，一种是使用富电子（D）单元与缺电子（A）单元共聚。但是已报道的E_g < 1.0 eV的超窄带隙共轭高分子很少，且大部分存在因HOMO能级高而导致的空气稳定性差的问题。因此，新的设计低HOMO能级超窄带隙共轭高分子的策略亟需提出。

        在本文中，我们报道了设计超窄带隙共轭高分子的新策略——共振硼氮键结构。基于共振硼氮键的均聚高分子IP1展现出E_g = 0.8 eV的超窄带隙，同时HOMO能级为-5.2 eV，保证IP1良好的空气稳定性。IP1表现出强近红外光吸收、弱可见光吸收的选择性近红外光吸收性质。我们将IP1作为透明热屏蔽材料加工成高分子涂料并制备薄膜，该薄膜展现出与市售热屏蔽膜相当的热屏蔽性质。

J. Xu, J. Liu*, L. X. Wang, Angew. Chem. Int. Ed., 2023, 135, e202303870.