n-型聚噻吩：非稠并结构的n-型高分子热电材料

        典型的n-型共轭高分子是基于稠并结构的电子受体单元进而构建高分子。本文工作中我们报告了一种设计非稠并结构的n-型共轭高分子的策略，即在聚噻吩主链上每个噻吩单元上引入吸电子的酰亚胺或氰基官能团，获得了一种n-型非稠并共轭高分子n-PT1。其具有低至-3.91 eV/-6.22 eV的LUMO/HOMO能级、0.39 cm² V^-1 s^-1的高电子迁移率、高结晶性和紧密的π-π堆积等特点。n-掺杂后，n-PT1具有优异的热电性能，电导率为61.2 S cm^-1，功率因子(PF)为141.7µW m^-1 K^-2，是迄今为止报道的n-型共轭高分子的最高功率因子数值之一，也是首次实现了n-型聚噻吩并将聚噻吩衍生物应用于n-型有机热电材料。n-PT1优异的热电性能是由于其具有较强的结晶性以及对掺杂的耐受性。本工作为设计低合成成本、高性能的非稠并的n-型共轭高分子提供了一条新思路。                                                                                                                                                                                                                                                        S. Deng, C. Dong, J. Liu, B. Meng*, J. Hu*, Y. Min, H. Tian, J. Liu*, L. Wang, Angew. Chem., Int. Ed. 2023, 62, e202216049.